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SK海力士已確認開發(fā)出世界上最快的HBM3eDRAM，現(xiàn)已提供給NVIDIA和其他客戶進行評估。SKhynix的HBM3eDRAM不僅速度更快，而且容量更高、散熱更好且易于兼容早在6月，就有報道稱SK海力士已收到NVIDIA的下一代HBM3eDRAM樣品請求，當NVIDIA宣布其GH200GPU配備增強型HBM3eDRAM時，該請求成為現(xiàn)實，每個芯片可提供高達5TB/s的帶寬。

新聞稿：SK海力士公司今天宣布成功開發(fā)出HBM3E，這是目前用于人工智能應用的下一代最高規(guī)格DRAM，并表示客戶的樣品評估正在進行中。

該公司表示，HBM3E(HBM3的擴展版本)的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應商的經(jīng)驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準備水平，SK海力士計劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E，鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領導地位。

該公司表示，最新產(chǎn)品不僅滿足業(yè)界最高的速度標準(AI內(nèi)存產(chǎn)品的關鍵規(guī)格)，而且所有類別都包括容量、散熱和用戶友好性。

在速度方面，HBM3E每秒可處理高達1.15TB的數(shù)據(jù)，相當于每秒處理230多部5GB大小的全高清電影。

此外，該產(chǎn)品在最新產(chǎn)品上采用先進質(zhì)量回流成型底部填充(MR-MUF**)尖端技術(shù)，散熱性能提高了10%。它還提供向后兼容性***，甚至可以在為HBM3準備的系統(tǒng)上采用最新產(chǎn)品，而無需修改設計或結(jié)構(gòu)。

**MR-MUF：將芯片附著到電路上并在堆疊芯片時用液體材料填充芯片之間的空間而不是鋪設薄膜以提高效率和散熱的工藝

***向后兼容性：無需修改設計即可實現(xiàn)新舊系統(tǒng)之間的互操作性的能力，特別是在信息技術(shù)和計算領域。具有向后兼容性的新型內(nèi)存產(chǎn)品允許繼續(xù)使用現(xiàn)有的CPU和GPU，而無需修改設計

NVIDIA超大規(guī)模和HPC計算副總裁IanBuck表示：“我們與SK海力士在高帶寬內(nèi)存方面有著長期合作，以提供領先的加速計算解決方案?！薄拔覀兤诖^續(xù)與HBM3E合作，提供下一代人工智能計算?！?/p>

SK海力士DRAM產(chǎn)品規(guī)劃主管SungsooRyu表示，公司通過HBM3E的開發(fā)，進一步增強HBM產(chǎn)品陣容的完整性，鞏固了市場領導地位，在AI技術(shù)的發(fā)展中備受矚目。?！巴ㄟ^增加高價值HBM產(chǎn)品的供應份額，SK海力士還將尋求快速的業(yè)務周轉(zhuǎn)?！?/p>

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