據(jù)報道，長江存儲最近已向一些客戶交付了其自主研發(fā)的192層3D NAND閃存的樣品，預計將在今年年底前正式推出相應產(chǎn)品。

上述消息人士表示，順利推出192層3D NAND閃存芯片，是長江存儲的一個里程碑。該公司正努力在NAND技術(shù)上追趕領(lǐng)先的韓國及美國競爭對手。

消息人士稱，目前長江存儲的128層3D NAND工藝良率已改善至令人滿意的水平，也將月產(chǎn)量擴大至10萬片晶圓。

該公司將很快完成其總部位于武漢的工廠二期設施的建設，設備入駐預計將在今年晚些時候啟動。到2023年底，長江存儲月產(chǎn)量可能超過20萬片，全球市場份額有望達到7～8%。

值得注意的是，近日，存儲芯片大廠美光(Micron)發(fā)布了業(yè)界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，并計劃將這款 232 層堆棧 3D NAND Flash芯片應用于包括固態(tài)硬盤等產(chǎn)品上，預計在 2022 年底左右開始量產(chǎn)，并將在2023年推出的新款SSD中使用。

此外，三星電子預計也將在2022年下半年推出200層以上3D NAND閃存。

資料顯示，長江存儲成立于2016年7月，由紫光集團、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投在武漢新芯的基礎上組建成立。據(jù)統(tǒng)計，長江存儲總投資約1600億元。

2016年12月，以長江存儲為主體的國家存儲器基地正式開工建設，其中包括3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，預計項目建成后總產(chǎn)能將達到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。

依托武漢新芯已有的12英寸先進集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎，采取自主研發(fā)與國際合作雙輪驅(qū)動的方式，長江存儲已于2017年研制成功了中國第一顆3D NAND閃存芯片。

隨著2018年長江存儲的32層NAND Flash的量產(chǎn)，國產(chǎn)閃存芯片終于實現(xiàn)了重大突破。

不過，由于該技術(shù)與國際主流技術(shù)相差較大，所以并未在市場獲得成功。

2019年9月，長江存儲正式宣布，成功量產(chǎn)基于自研的Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND Flash。

該閃存滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求，與目前業(yè)界已上市的64/72層3D NAND閃存相比，其擁有同代產(chǎn)品中更高存儲密度。

隨后長江存儲的64層256Gb TLC 3D NAND閃存還成功打入了華為Mate40系列的供應鏈。

為了進一步縮短與三星、SK海力士、鎧俠等公司的差距，長江存儲跳過了96層，直接進行了128層3D NAND Flash的研發(fā)。

2020年4月13日，長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號：X2-6070)研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。

據(jù)介紹，長江存儲X2-6070是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。

此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號：X2-9060)，單顆容量512Gb(64GB)，以滿足不同應用場景的需求。

2020年8月，長江存儲又推出自有存儲品牌“致鈦”，隨后推出了一系列自有品牌SSD產(chǎn)品，并在市場上獲得了不錯的表現(xiàn)。

去年10月，國外權(quán)威研究機構(gòu)Tech Insights對長江存儲的128層TLC 3D閃存進行了芯片級的拆解，發(fā)現(xiàn)其存儲密度達到了目前業(yè)界最高的8.48 Gb/mm²，遠高于三星、美光、SK海力士等一線NAND芯片大廠。

今年3月底，業(yè)內(nèi)傳出消息稱，長江存儲已正式打入蘋果iPhone的NAND Flash供應鏈，為iPhone SE 3供應NAND Flash芯片。

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