中金公司發(fā)布研究報(bào)告稱，碳化硅(SiC)材料是第三代化合物半導(dǎo)體的典型代表，特別是在下游需求快速成長(zhǎng)的新能源相關(guān)應(yīng)用中，中金公司認(rèn)為SiC相比Si基材料優(yōu)勢(shì)明顯：1)在新能源車領(lǐng)域，SiC器件有望解決續(xù)航里程短、補(bǔ)能時(shí)間長(zhǎng)等痛點(diǎn);2)在光伏發(fā)電方面，SiC器件有望提升逆變器轉(zhuǎn)換效率及使用壽命。根據(jù)Wolfspeed預(yù)測(cè)，2026年SiC相關(guān)器件市場(chǎng)有望達(dá)到89億美元，襯底市場(chǎng)有望達(dá)到17億美元，合計(jì)市場(chǎng)超百億。中金公司認(rèn)為SiC材料(襯底、外延)作為產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié)，有望充分受益，相關(guān)A股標(biāo)的市場(chǎng)關(guān)注度有望迎來(lái)快速提升。

中金公司主要觀點(diǎn)如下：

SiC襯底及外延生長(zhǎng)技術(shù)壁壘高，海外企業(yè)技術(shù)領(lǐng)先：我們認(rèn)為，SiC材料制備水平對(duì)器件最終性能起決定性作用，技術(shù)壁壘較高：SiC晶錠通常需要在高溫高壓的氣相環(huán)境中生長(zhǎng);目前領(lǐng)先企業(yè)的單晶生長(zhǎng)速度在每小時(shí)400微米左右，與Si存在數(shù)百倍的差距，目前PVT法依然是較主流的技術(shù)路線，市場(chǎng)規(guī)模較大的導(dǎo)電型產(chǎn)品主流尺寸為6英寸。外延方面，目前行業(yè)內(nèi)平均生長(zhǎng)速度為數(shù)微米/小時(shí)，隨著耐壓要求提高，外延層制造時(shí)間相應(yīng)加長(zhǎng)。目前美國(guó)Wolfspeed在SiC材料市場(chǎng)處于主導(dǎo)地位，2020年在襯底市占率超60%。

海外及中國(guó)大陸廠商加速擴(kuò)產(chǎn)，但國(guó)內(nèi)有效產(chǎn)能仍稀缺：根據(jù)Wolfspeed測(cè)算，2026年全球SiC襯底市場(chǎng)有望達(dá)到17億美元，在400-500美元的襯底均價(jià)假設(shè)下，屆時(shí)需求有望達(dá)到400萬(wàn)片/年上下。根據(jù)我們統(tǒng)計(jì)，海外廠商產(chǎn)能正處于加速擴(kuò)張之中，2024-2025年海外企業(yè)規(guī)劃年產(chǎn)能有望達(dá)到約204萬(wàn)片(6英寸等效)，是2020年的6倍之多，2022年起部分廠商還有望供應(yīng)8英寸導(dǎo)電襯底。國(guó)內(nèi)方面，我們看到目前襯底主流產(chǎn)品仍以4英寸為主，大規(guī)模量產(chǎn)6英寸企業(yè)較少，與海外存在差距;而產(chǎn)能方面大步推進(jìn)，遠(yuǎn)期規(guī)劃年產(chǎn)能超400萬(wàn)片(對(duì)應(yīng)超200億投資，目前產(chǎn)能僅20-30萬(wàn)片/年)。我們認(rèn)為并非所有產(chǎn)能都能形成有效轉(zhuǎn)化，未來(lái)隨著國(guó)內(nèi)項(xiàng)目的陸續(xù)投產(chǎn)，部分良率偏低的項(xiàng)目可能會(huì)被以兼并重組的方式淘汰。我們認(rèn)為行業(yè)應(yīng)避免產(chǎn)能無(wú)序擴(kuò)張。

碳化硅材料企業(yè)盈利能力及估值展望：我們認(rèn)為SiC襯底供應(yīng)商的整體良品率與每個(gè)單晶爐年產(chǎn)量是體現(xiàn)公司核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵，中長(zhǎng)期來(lái)看本土SiC襯底龍頭企業(yè)的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率有望達(dá)到25%-30%。目前二級(jí)市場(chǎng)常用P/S法對(duì)SiC材料企業(yè)估值，而在未來(lái)中長(zhǎng)期3-5年維度來(lái)看，我們認(rèn)為P/E估值法是行業(yè)較為通用的估值方法，受益于新能源應(yīng)用的持續(xù)增長(zhǎng)，行業(yè)有望持續(xù)享受較高的估值水平。

關(guān)鍵詞： SiC材料 Wolfspeed 核心環(huán)節(jié) 中金公司